RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2892
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link