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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2892
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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