RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2930
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link