RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2935
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link