RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
4060
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link