RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3128
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link