RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link