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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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