RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link