RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3657
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link