RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
23
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3359
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link