RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3648
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link