RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3648
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link