RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3035
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link