RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2764
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link