RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2764
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link