RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link