RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link