RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link