RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link