RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3142
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link