RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2633
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link