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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
94
En -262% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2633
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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