RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2235
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link