RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2267
2591
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link