RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2935
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link