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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
52
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2935
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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