RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3063
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link