RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2898
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link