RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2236
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link