RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
52
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
2236
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link