RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2190
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link