RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
63
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2045
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link