RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link