RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3050
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link