RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3736
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link