RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3220
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link