RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3437
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link