RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2824
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link