RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3292
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link