RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2981
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link