RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2483
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link