RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2136
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link