RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3198
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link