RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2416
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link