RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2562
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link