RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2702
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link