RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
74
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1849
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link