RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2585
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link