RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3234
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link