RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3964
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link