RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3711
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link