RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3723
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Mushkin 991586 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link